FGD3N60LSDTM

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Parte di u fabricatore	FGD3N60LSDTM
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	IGBT 600V 6A 40W DPAK
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	FGD3N60LSDTM PDF

A dispunibilità

In magazinu	413
Prezzu Unitu	$ 1.21000

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FGD3N60LSDTM Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	-
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	600 V
current - collector (ic) (max):	6 A
current - collector pulsed (icm):	25 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.5V @ 10V, 3A
putenza - max:	40 W
scambià energia:	250µJ (on), 1mJ (off)
tipu di input:	Standard
carica di porta:	12.5 nC
td (on/off) @ 25°c:	40ns/600ns
cundizione di prova:	480V, 3A, 470Ohm, 10V
tempu di ricuperazione inversa (trr):	234 ns
temperatura di funziunamentu:	-
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	D-Pak

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