NGTB25N120FL3WG

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Parte di u fabricatore	NGTB25N120FL3WG
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	IGBT 1200V 100A TO247
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	NGTB25N120FL3WG PDF

A dispunibilità

In magazinu	274745
Prezzu Unitu	$ 5.99000

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NGTB25N120FL3WG Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	Trench Field Stop
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	1200 V
current - collector (ic) (max):	100 A
current - collector pulsed (icm):	100 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 25A
putenza - max:	349 W
scambià energia:	1mJ (on), 700µJ (off)
tipu di input:	Standard
carica di porta:	136 nC
td (on/off) @ 25°c:	15ns/109ns
cundizione di prova:	600V, 25A, 10Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):	114 ns
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	TO-247-3
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-247-3

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