TPH3208LDG

TPH3208LDG

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Parte di u fabricatore TPH3208LDG
U fabricatore Transphorm
Descrizzione GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
categuria prudutti semiconduttori discreti
Famiglia transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita: New from this manufacturer.
Consegna: DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet TPH3208LDG PDF

A dispunibilità

In magazinu 285
Prezzu Unitu $ 10.81000

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TPH3208LDG Specificazioni

Tipu Descrizzione
serie:-
pacchettu:Tube
statutu di parte:Obsolete
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:GaNFET (Gallium Nitride)
drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:20A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:130mOhm @ 13A, 8V
vgs (th) (max) @ id:2.6V @ 300µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 8 V
vgs (max):±18V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 400 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):96W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:3-PQFN (8x8)
pacchettu / casu:3-PowerDFN

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Shipping Rate
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