SCT3120ALGC11

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Parte di u fabricatore	SCT3120ALGC11
U fabricatore	ROHM Semiconductor
Descrizzione	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	SCT3120ALGC11 PDF

A dispunibilità

In magazinu	469608
Prezzu Unitu	$ 7.98000

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SCT3120ALGC11 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	SiCFET (Silicon Carbide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	650 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	21A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	18V
rds on (max) @ id, vgs:	156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs (th) (max) @ id:	5.6V @ 3.33mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	38 nC @ 18 V
vgs (max):	+22V, -4V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	460 pF @ 500 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	103W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-247N
pacchettu / casu:	TO-247-3

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