FQE10N20CTU

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Parte di u fabricatore	FQE10N20CTU
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	FQE10N20CTU PDF

A dispunibilità

In magazinu	21919
Prezzu Unitu	$ 0.24000

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FQE10N20CTU Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	QFET®
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Obsolete
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	200 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	4A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 2A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	510 pF @ 25 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	12.8W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-126-3
pacchettu / casu:	TO-225AA, TO-126-3

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