FDW258P

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Parte di u fabricatore	FDW258P
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	FDW258P PDF

A dispunibilità

In magazinu	92624
Prezzu Unitu	$ 1.36000

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FDW258P Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	PowerTrench®
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Obsolete
tipu fet:	P-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	12 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	9A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 9A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	73 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	5.049 pF @ 5 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	1.3W (Ta)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	8-TSSOP
pacchettu / casu:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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