EPC2016C

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Parte di u fabricatore	EPC2016C
U fabricatore	EPC
Descrizzione	GANFET N-CH 100V 18A DIE
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	EPC2016C PDF

A dispunibilità

In magazinu	134646
Prezzu Unitu	$ 2.45000

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EPC2016C Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	eGaN®
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	GaNFET (Gallium Nitride)
drain à a tensione di fonte (vdss):	100 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	18A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	5V
rds on (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 11A, 5V
vgs (th) (max) @ id:	2.5V @ 3mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	4.5 nC @ 5 V
vgs (max):	+6V, -4V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	420 pF @ 50 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	-
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	Die
pacchettu / casu:	Die

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