NTMS4917NR2G

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Parte di u fabricatore	NTMS4917NR2G
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOIC
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	NTMS4917NR2G PDF

A dispunibilità

In magazinu	59502
Prezzu Unitu	$ 0.29000

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NTMS4917NR2G Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Obsolete
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	30 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	7.1A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 11A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	15.6 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	1.054 pF @ 25 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	880mW (Ta)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	8-SOIC
pacchettu / casu:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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