DF11MR12W1M1B11BOMA1

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Parte di u fabricatore	DF11MR12W1M1B11BOMA1
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	IGBT MODULE
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

A dispunibilità

In magazinu	83
Prezzu Unitu	$ 120.00000

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DF11MR12W1M1B11BOMA1 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	*
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 N-Channel (Dual)
funzione fet:	Silicon Carbide (SiC)
drain à a tensione di fonte (vdss):	1200V (1.2kV)
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	50A
rds on (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs (th) (max) @ id:	5.5V @ 20mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	125nC @ 5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	3950pF @ 800V
putenza - max:	20mW
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Chassis Mount
pacchettu / casu:	Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	Module

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