IPG20N10S4L35AATMA1

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Parte di u fabricatore	IPG20N10S4L35AATMA1
U fabricatore	IR (Infineon Technologies)
Descrizzione	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	IPG20N10S4L35AATMA1 PDF

A dispunibilità

In magazinu	195755
Prezzu Unitu	$ 0.66868

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IPG20N10S4L35AATMA1 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchettu:	Tape & Reel (TR)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 N-Channel (Dual)
funzione fet:	Logic Level Gate
drain à a tensione di fonte (vdss):	100V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	20A
rds on (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 17A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.1V @ 16µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	17.4nC @ 10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	1105pF @ 25V
putenza - max:	43W
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount, Wettable Flank
pacchettu / casu:	8-PowerVDFN
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	PG-TDSON-8-10

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