MSCSM120HM31CT3AG

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Parte di u fabricatore	MSCSM120HM31CT3AG
U fabricatore	Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione	PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	12
Prezzu Unitu	$ 259.97000

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MSCSM120HM31CT3AG Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu fet:	4 N-Channel
funzione fet:	Silicon Carbide (SiC)
drain à a tensione di fonte (vdss):	1200V (1.2kV)
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	89A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	31mOhm @ 40A, 20V
vgs (th) (max) @ id:	2.8V @ 1mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	232nC @ 20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	3020pF @ 1000V
putenza - max:	395W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Chassis Mount
pacchettu / casu:	Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	SP3F

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