CSD88539NDT

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Parte di u fabricatore	CSD88539NDT
U fabricatore	Texas Instruments
Descrizzione	MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	1588
Prezzu Unitu	$ 1.03000

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CSD88539NDT Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	NexFET™
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 N-Channel (Dual)
funzione fet:	Logic Level Gate
drain à a tensione di fonte (vdss):	60V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	15A
rds on (max) @ id, vgs:	28mOhm @ 5A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	3.6V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	9.4nC @ 10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	741pF @ 30V
putenza - max:	2.1W
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	8-SO

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