BSC0910NDIATMA1

L'imaghjini hè per riferimentu, per piacè cuntattateci per avè a vera stampa

Parte di u fabricatore	BSC0910NDIATMA1
U fabricatore	IR (Infineon Technologies)
Descrizzione	MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	BSC0910NDIATMA1 PDF

A dispunibilità

In magazinu	4436
Prezzu Unitu	$ 2.22000

BSC0910NDIATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSC0910NDIATMA1 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	OptiMOS™
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
funzione fet:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
drain à a tensione di fonte (vdss):	25V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	11A, 31A
rds on (max) @ id, vgs:	4.6mOhm @ 25A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	6.6nC @ 4.5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	4500pF @ 12V
putenza - max:	1W
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	8-PowerTDFN
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	PG-TISON-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.