IRF8910PBF

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Parte di u fabricatore	IRF8910PBF
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	HEXFET POWER MOSFET
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	IRF8910PBF PDF

A dispunibilità

In magazinu	156544
Prezzu Unitu	$ 0.36000

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IRF8910PBF Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	HEXFET®
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Obsolete
tipu fet:	2 N-Channel (Dual)
funzione fet:	Logic Level Gate
drain à a tensione di fonte (vdss):	20V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	10A
rds on (max) @ id, vgs:	13.4mOhm @ 10A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.55V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	11nC @ 4.5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	960pF @ 10V
putenza - max:	2W
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	8-SO

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