SIGC11T60NCX1SA2

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Parte di u fabricatore	SIGC11T60NCX1SA2
U fabricatore	IR (Infineon Technologies)
Descrizzione	IGBT 3 CHIP 600V WAFER
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	SIGC11T60NCX1SA2 PDF

A dispunibilità

In magazinu	1313186
Prezzu Unitu	$ 0.00000

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SIGC11T60NCX1SA2 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Obsolete
tipu igbt:	NPT
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	600 V
current - collector (ic) (max):	10 A
current - collector pulsed (icm):	30 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 10A
putenza - max:	-
scambià energia:	-
tipu di input:	Standard
carica di porta:	-
td (on/off) @ 25°c:	20ns/110ns
cundizione di prova:	300V, 10A, 27Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):	-
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	Die
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	Die

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