APTM120DSK57T3G

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Parte di u fabricatore	APTM120DSK57T3G
U fabricatore	Microsemi
Descrizzione	MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	APTM120DSK57T3G PDF

A dispunibilità

In magazinu	4388395
Prezzu Unitu	$ 0.00000

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APTM120DSK57T3G Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Obsolete
tipu fet:	2 N-Channel (Dual)
funzione fet:	Standard
drain à a tensione di fonte (vdss):	1200V (1.2kV)
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	17A
rds on (max) @ id, vgs:	684mOhm @ 8.5A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	5V @ 2.5mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	187nC @ 10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	5155pF @ 25V
putenza - max:	390W
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Chassis Mount
pacchettu / casu:	SP3
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	SP3

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