APTC90H12T1G

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Parte di u fabricatore	APTC90H12T1G
U fabricatore	Microsemi
Descrizzione	MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	APTC90H12T1G PDF

A dispunibilità

In magazinu	4388265
Prezzu Unitu	$ 0.00000

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APTC90H12T1G Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	CoolMOS™
pacchettu:	Tray
statutu di parte:	Obsolete
tipu fet:	4 N-Channel (H-Bridge)
funzione fet:	Super Junction
drain à a tensione di fonte (vdss):	900V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	30A
rds on (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 26A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	3.5V @ 3mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	270nC @ 10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	6800pF @ 100V
putenza - max:	250W
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Chassis Mount
pacchettu / casu:	SP1
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	SP1

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