NGTB50N65FL2WAG

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Parte di u fabricatore	NGTB50N65FL2WAG
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	NGTB50N65FL2WAG PDF

A dispunibilità

In magazinu	3654
Prezzu Unitu	$ 2.35000

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NGTB50N65FL2WAG Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	Field Stop
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	650 V
current - collector (ic) (max):	160 A
current - collector pulsed (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 50A
putenza - max:	417 W
scambià energia:	420µJ (on), 550µJ (off)
tipu di input:	Standard
carica di porta:	215 nC
td (on/off) @ 25°c:	23ns/123ns
cundizione di prova:	400V, 50A, 10Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):	94 ns
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	TO-247-4
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-247-4L

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