NTMFD1D4N02P1E

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Parte di u fabricatore	NTMFD1D4N02P1E
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	MOSFET N-CH 20V 8PQFN
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	2974300
Prezzu Unitu	$ 1.20000

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NTMFD1D4N02P1E Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
funzione fet:	Standard
drain à a tensione di fonte (vdss):	25V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2V @ 250µA, 2V @ 800µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
putenza - max:	960mW (Ta), 1W (Ta)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	8-PowerWDFN
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	8-PQFN (5x6)

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