BSM180D12P2E002

L'imaghjini hè per riferimentu, per piacè cuntattateci per avè a vera stampa

Parte di u fabricatore	BSM180D12P2E002
U fabricatore	ROHM Semiconductor
Descrizzione	1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	BSM180D12P2E002 PDF

A dispunibilità

In magazinu	8
Prezzu Unitu	$ 676.50000

BSM180D12P2E002 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSM180D12P2E002 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu fet:	2 N-Channel (Half Bridge)
funzione fet:	Silicon Carbide (SiC)
drain à a tensione di fonte (vdss):	1200V (1.2kV)
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	204A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 35.2mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	-
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	18000pF @ 10V
putenza - max:	1360W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Chassis Mount
pacchettu / casu:	Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.