NXH100B120H3Q0STG

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Parte di u fabricatore	NXH100B120H3Q0STG
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - igbts - moduli
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	24
Prezzu Unitu	$ 55.02000

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NXH100B120H3Q0STG Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tray
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	Trench Field Stop
cunfigurazione:	2 Independent
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	1200 V
current - collector (ic) (max):	50 A
putenza - max:	186 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
corrente - cutoff di u cullettore (max):	200 µA
capacità di input (cies) @ vce:	9.075 nF @ 20 V
input:	Standard
termistore ntc:	No
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Chassis Mount
pacchettu / casu:	Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)

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