FAM65HR51DS2

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Parte di u fabricatore	FAM65HR51DS2
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	IGBT MODULE 650V 33A 135W
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - igbts - moduli
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	637942
Prezzu Unitu	$ 62.75194

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FAM65HR51DS2 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	-
cunfigurazione:	Half Bridge Inverter
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	650 V
current - collector (ic) (max):	33 A
putenza - max:	135 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
corrente - cutoff di u cullettore (max):	-
capacità di input (cies) @ vce:	4.86 nF @ 400 V
input:	Standard
termistore ntc:	No
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	-
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	-

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