HSG1002VE-TL-E

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Parte di u fabricatore	HSG1002VE-TL-E
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - bipolari (bjt) - rf
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	HSG1002VE-TL-E PDF

A dispunibilità

In magazinu	519687
Prezzu Unitu	$ 0.30000

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HSG1002VE-TL-E Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu di transistor:	NPN
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	3.5V
freccia - transizione:	38GHz
figura di rumore (db typ @ f):	0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
guadagnà:	8dB ~ 19.5dB
putenza - max:	200mW
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 5mA, 2V
current - collector (ic) (max):	35mA
temperatura di funziunamentu:	-
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	4-SMD, Gull Wing
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	4-MFPAK

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