GPA030A135MN-FDR

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Parte di u fabricatore	GPA030A135MN-FDR
U fabricatore	SemiQ
Descrizzione	IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	GPA030A135MN-FDR PDF

A dispunibilità

In magazinu	771939
Prezzu Unitu	$ 0.00000

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GPA030A135MN-FDR Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Obsolete
tipu igbt:	Trench Field Stop
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	1350 V
current - collector (ic) (max):	60 A
current - collector pulsed (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 30A
putenza - max:	329 W
scambià energia:	4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
tipu di input:	Standard
carica di porta:	300 nC
td (on/off) @ 25°c:	30ns/145ns
cundizione di prova:	600V, 30A, 5Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):	450 ns
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	TO-3
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-3PN

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