IPP04N03LA

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Parte di u fabricatore	IPP04N03LA
U fabricatore	IR (Infineon Technologies)
Descrizzione	MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	IPP04N03LA PDF

A dispunibilità

In magazinu	1156708
Prezzu Unitu	$ 0.00000

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IPP04N03LA Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	OptiMOS™
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Obsolete
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	25 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	80A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 55A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2V @ 60µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	32 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	3877 pF @ 15 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	107W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	PG-TO220-3
pacchettu / casu:	TO-220-3

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