IRF6614

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Parte di u fabricatore	IRF6614
U fabricatore	IR (Infineon Technologies)
Descrizzione	MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	IRF6614 PDF

A dispunibilità

In magazinu	659732
Prezzu Unitu	$ 0.00000

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IRF6614 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	HEXFET®
pacchettu:	Tape & Reel (TR)
statutu di parte:	Obsolete
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	40 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	12.7A (Ta), 55A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	8.3mOhm @ 12.7A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.25V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	2560 pF @ 20 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	2.1W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	DIRECTFET™ ST
pacchettu / casu:	DirectFET™ Isometric ST

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