PMGD8000LN,115

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Parte di u fabricatore	PMGD8000LN,115
U fabricatore	NXP Semiconductors
Descrizzione	MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	PMGD8000LN,115 PDF

A dispunibilità

In magazinu	558045
Prezzu Unitu	$ 0.00000

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PMGD8000LN,115 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	TrenchMOS™
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Obsolete
tipu fet:	2 N-Channel (Dual)
funzione fet:	Logic Level Gate
drain à a tensione di fonte (vdss):	30V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	125mA
rds on (max) @ id, vgs:	8Ohm @ 10mA, 4V
vgs (th) (max) @ id:	1.5V @ 100µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	0.35nC @ 4.5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	18.5pF @ 5V
putenza - max:	200mW
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	6-TSSOP

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