EPC2101ENGRT

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Parte di u fabricatore	EPC2101ENGRT
U fabricatore	EPC
Descrizzione	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	EPC2101ENGRT PDF

A dispunibilità

In magazinu	892786
Prezzu Unitu	$ 0.00000

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EPC2101ENGRT Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	*
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Discontinued at Digi-Key
tipu fet:	2 N-Channel (Half Bridge)
funzione fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
drain à a tensione di fonte (vdss):	60V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	9.5A, 38A
rds on (max) @ id, vgs:	11.5mOhm @ 20A, 5V
vgs (th) (max) @ id:	2.5V @ 2mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	2.7nC @ 5V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	300pF @ 30V
putenza - max:	-
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	Die
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	Die

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