PDTD123TS,126

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Parte di u fabricatore	PDTD123TS,126
U fabricatore	NXP Semiconductors
Descrizzione	TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - bipolari (bjt) - unicu, pre-biased
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	PDTD123TS,126 PDF

A dispunibilità

In magazinu	710667
Prezzu Unitu	$ 0.00000

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PDTD123TS,126 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Box (TB)
statutu di parte:	Obsolete
tipu di transistor:	NPN - Pre-Biased
current - collector (ic) (max):	500 mA
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	50 V
resistenza - basa (r1):	2.2 kOhms
resistenza - basa di emettitore (r2):	-
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 50mA, 5V
saturazione vce (max) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
corrente - cutoff di u cullettore (max):	500nA
freccia - transizione:	-
putenza - max:	500 mW
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-92-3

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