CYD18S18V18-200BBAXI

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Parte di u fabricatore	CYD18S18V18-200BBAXI
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
categuria	circuiti integrati
Famiglia	memoria
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	CYD18S18V18-200BBAXI PDF

A dispunibilità

In magazinu	3
Prezzu Unitu	$ 337.08000

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CYD18S18V18-200BBAXI Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tray
statutu di parte:	Obsolete
tipu di memoria:	Volatile
formatu di memoria:	SRAM
tecnulugia:	SRAM - Dual Port, Synchronous
dimensione di memoria:	18Mb (1M x 18)
interfaccia di memoria:	Parallel
frequenza di u clock:	200 MHz
scrive u tempu di ciclu - parolla, pagina:	-
tempu d'accessu:	3.3 ns
tensione - supply:	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 85°C (TA)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	256-LBGA
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	256-FBGA (17x17)

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