EMD29T2R

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Parte di u fabricatore	EMD29T2R
U fabricatore	ROHM Semiconductor
Descrizzione	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - bipolari (bjt) - arrays, pre-biased
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	EMD29T2R PDF

A dispunibilità

In magazinu	7990
Prezzu Unitu	$ 0.40000

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EMD29T2R Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu di transistor:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
current - collector (ic) (max):	100mA, 500mA
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	50V, 12V
resistenza - basa (r1):	1kOhms, 10kOhms
resistenza - basa di emettitore (r2):	10kOhms
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
saturazione vce (max) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
corrente - cutoff di u cullettore (max):	500nA
freccia - transizione:	250MHz, 260MHz
putenza - max:	120mW
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	SOT-563, SOT-666
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	EMT6

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