RN1708JE(TE85L,F)

L'imaghjini hè per riferimentu, per piacè cuntattateci per avè a vera stampa

Parte di u fabricatore	RN1708JE(TE85L,F)
U fabricatore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione	NPN X 2 BRT, Q1BSR=22KΩ, Q1BER=4
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - bipolari (bjt) - arrays, pre-biased
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	3900
Prezzu Unitu	$ 0.41000

RN1708JE(TE85L,F) Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RN1708JE(TE85L,F) Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu di transistor:	2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
current - collector (ic) (max):	100mA
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	50V
resistenza - basa (r1):	22kOhms
resistenza - basa di emettitore (r2):	47kOhms
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
saturazione vce (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
corrente - cutoff di u cullettore (max):	500nA
freccia - transizione:	250MHz
putenza - max:	100mW
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	SOT-553
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	ESV

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.