RN1911FETE85LF

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Parte di u fabricatore	RN1911FETE85LF
U fabricatore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - bipolari (bjt) - arrays, pre-biased
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	RN1911FETE85LF PDF

A dispunibilità

In magazinu	3645
Prezzu Unitu	$ 0.38000

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RN1911FETE85LF Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu di transistor:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
current - collector (ic) (max):	100mA
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	50V
resistenza - basa (r1):	10kOhms
resistenza - basa di emettitore (r2):	-
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 5V
saturazione vce (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
corrente - cutoff di u cullettore (max):	100nA (ICBO)
freccia - transizione:	250MHz
putenza - max:	100mW
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	SOT-563, SOT-666
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	ES6

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