NJX1675PDR2G

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Parte di u fabricatore	NJX1675PDR2G
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - bipolari (bjt) - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	NJX1675PDR2G PDF

A dispunibilità

In magazinu	239921
Prezzu Unitu	$ 0.20000

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NJX1675PDR2G Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Obsolete
tipu di transistor:	NPN, PNP
current - collector (ic) (max):	3A
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	30V
saturazione vce (max) @ ib, ic:	115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
corrente - cutoff di u cullettore (max):	100nA (ICBO)
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	180 @ 1A, 2V
putenza - max:	2W
freccia - transizione:	100MHz, 120MHz
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	8-SOIC

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