NTE2018

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Parte di u fabricatore	NTE2018
U fabricatore	NTE Electronics, Inc.
Descrizzione	IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - bipolari (bjt) - arrays
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	NTE2018 PDF

A dispunibilità

In magazinu	187
Prezzu Unitu	$ 3.81000

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NTE2018 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bag
statutu di parte:	Active
tipu di transistor:	8 NPN Darlington
current - collector (ic) (max):	600mA
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	50V
saturazione vce (max) @ ib, ic:	1.6V @ 350mA, 500A
corrente - cutoff di u cullettore (max):	-
guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:	-
putenza - max:	1W
freccia - transizione:	-
temperatura di funziunamentu:	-20°C ~ 85°C (TA)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	18-DIP (0.300", 7.62mm)
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	18-PDIP

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