RGT30NS65DGTL

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Parte di u fabricatore	RGT30NS65DGTL
U fabricatore	ROHM Semiconductor
Descrizzione	IGBT 650V 30A 133W TO-263S
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	RGT30NS65DGTL PDF

A dispunibilità

In magazinu	997
Prezzu Unitu	$ 1.95000

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RGT30NS65DGTL Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	Trench Field Stop
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	650 V
current - collector (ic) (max):	30 A
current - collector pulsed (icm):	45 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 15A
putenza - max:	133 W
scambià energia:	-
tipu di input:	Standard
carica di porta:	32 nC
td (on/off) @ 25°c:	18ns/64ns
cundizione di prova:	400V, 15A, 10Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):	55 ns
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	LPDS (TO-263S)

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