NGTB40N65IHL2WG

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Parte di u fabricatore	NGTB40N65IHL2WG
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	NGTB40N65IHL2WG PDF

A dispunibilità

In magazinu	16590
Prezzu Unitu	$ 4.86000

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NGTB40N65IHL2WG Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	Trench Field Stop
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	650 V
current - collector (ic) (max):	80 A
current - collector pulsed (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.2V @ 15V, 40A
putenza - max:	300 W
scambià energia:	360µJ (off)
tipu di input:	Standard
carica di porta:	135 nC
td (on/off) @ 25°c:	-/140ns
cundizione di prova:	400V, 40A, 10Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):	465 ns
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	TO-247-3
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-247-3

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