HGTG18N120BND

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Parte di u fabricatore	HGTG18N120BND
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	IGBT 1200V 54A 390W TO247
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	HGTG18N120BND PDF

A dispunibilità

In magazinu	448
Prezzu Unitu	$ 4.92000

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HGTG18N120BND Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	NPT
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	1200 V
current - collector (ic) (max):	54 A
current - collector pulsed (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 18A
putenza - max:	390 W
scambià energia:	1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
tipu di input:	Standard
carica di porta:	165 nC
td (on/off) @ 25°c:	23ns/170ns
cundizione di prova:	960V, 18A, 3Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):	75 ns
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	TO-247-3
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-247-3

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