RGTV00TS65GC11

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Parte di u fabricatore	RGTV00TS65GC11
U fabricatore	ROHM Semiconductor
Descrizzione	650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	RGTV00TS65GC11 PDF

A dispunibilità

In magazinu	446
Prezzu Unitu	$ 5.20000

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RGTV00TS65GC11 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	Trench Field Stop
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	650 V
current - collector (ic) (max):	95 A
current - collector pulsed (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 50A
putenza - max:	276 W
scambià energia:	1.17mJ (on), 940µJ (off)
tipu di input:	Standard
carica di porta:	104 nC
td (on/off) @ 25°c:	41ns/142ns
cundizione di prova:	400V, 50A, 10Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):	-
temperatura di funziunamentu:	-40°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	TO-247-3
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-247N

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