APT35GP120B2DQ2G

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Parte di u fabricatore	APT35GP120B2DQ2G
U fabricatore	Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione	IGBT 1200V 96A 543W TMAX
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	APT35GP120B2DQ2G PDF

A dispunibilità

In magazinu	274696
Prezzu Unitu	$ 15.17000

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APT35GP120B2DQ2G Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	POWER MOS 7®
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	PT
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	1200 V
current - collector (ic) (max):	96 A
current - collector pulsed (icm):	140 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.9V @ 15V, 35A
putenza - max:	543 W
scambià energia:	750µJ (on), 680µJ (off)
tipu di input:	Standard
carica di porta:	150 nC
td (on/off) @ 25°c:	16ns/95ns
cundizione di prova:	600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):	-
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	TO-247-3 Variant
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	-

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