NGTG20N60L2TF1G

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Parte di u fabricatore	NGTG20N60L2TF1G
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	NGTG20N60L2TF1G PDF

A dispunibilità

In magazinu	17909
Prezzu Unitu	$ 1.33000

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NGTG20N60L2TF1G Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	*
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	-
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	-
current - collector (ic) (max):	-
current - collector pulsed (icm):	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
putenza - max:	-
scambià energia:	-
tipu di input:	-
carica di porta:	-
td (on/off) @ 25°c:	-
cundizione di prova:	-
tempu di ricuperazione inversa (trr):	-
temperatura di funziunamentu:	-
tipu di muntatura:	-
pacchettu / casu:	-
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	-

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