FGD3N60UNDF

L'imaghjini hè per riferimentu, per piacè cuntattateci per avè a vera stampa

Parte di u fabricatore	FGD3N60UNDF
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	IGBT 600V 6A 60W DPAK
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	FGD3N60UNDF PDF

A dispunibilità

In magazinu	2779
Prezzu Unitu	$ 1.06000

FGD3N60UNDF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FGD3N60UNDF Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	NPT
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	600 V
current - collector (ic) (max):	6 A
current - collector pulsed (icm):	9 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.52V @ 15V, 3A
putenza - max:	60 W
scambià energia:	52µJ (on), 30µJ (off)
tipu di input:	Standard
carica di porta:	1.6 nC
td (on/off) @ 25°c:	5.5ns/22ns
cundizione di prova:	400V, 3A, 10Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):	21 ns
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu / casu:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-252, (D-Pak)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.