NGTB40N120FL2WG

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Parte di u fabricatore	NGTB40N120FL2WG
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - unicu
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	NGTB40N120FL2WG PDF

A dispunibilità

In magazinu	192269
Prezzu Unitu	$ 2.66000

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NGTB40N120FL2WG Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Bulk
statutu di parte:	Active
tipu igbt:	Trench Field Stop
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):	1.2 V
current - collector (ic) (max):	80 A
current - collector pulsed (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 40A
putenza - max:	535 W
scambià energia:	3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
tipu di input:	Standard
carica di porta:	313 nC
td (on/off) @ 25°c:	116ns/286ns
cundizione di prova:	600V, 40A, 10Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):	240 ns
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu / casu:	TO-247-3
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-247

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