NVMFS5H663NLWFT1G

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Parte di u fabricatore	NVMFS5H663NLWFT1G
U fabricatore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione	MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

A dispunibilità

In magazinu	6000
Prezzu Unitu	$ 0.66528

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NVMFS5H663NLWFT1G Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchettu:	Tape & Reel (TR)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	60 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	16.2A (Ta), 67A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 20A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2V @ 56µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	1131 pF @ 30 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	3.7W (Ta), 63W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchettu / casu:	8-PowerTDFN, 5 Leads

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