BUK7E4R0-80E,127

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Parte di u fabricatore	BUK7E4R0-80E,127
U fabricatore	Rochester Electronics
Descrizzione	MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	BUK7E4R0-80E,127 PDF

A dispunibilità

In magazinu	296
Prezzu Unitu	$ 1.25000

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BUK7E4R0-80E,127 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	TrenchMOS™
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Obsolete
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	80 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	120A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	4mOhm @ 25A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 1mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	169 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	12.03 pF @ 25 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	349W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	I2PAK
pacchettu / casu:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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