RT1E040RPTR

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Parte di u fabricatore	RT1E040RPTR
U fabricatore	ROHM Semiconductor
Descrizzione	MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	RT1E040RPTR PDF

A dispunibilità

In magazinu	1940
Prezzu Unitu	$ 0.55000

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RT1E040RPTR Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Not For New Designs
tipu fet:	P-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	30 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	4A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	45mOhm @ 4A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	1000 pF @ 10 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	550mW (Ta)
temperatura di funziunamentu:	150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	8-TSST
pacchettu / casu:	8-SMD, Flat Lead

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