TSM60N600CI C0G

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Parte di u fabricatore	TSM60N600CI C0G
U fabricatore	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizzione	MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	TSM60N600CI C0G PDF

A dispunibilità

In magazinu	467323
Prezzu Unitu	$ 0.95895

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TSM60N600CI C0G Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Not For New Designs
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	600 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	8A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 4A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	743 pF @ 100 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	83W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	ITO-220AB
pacchettu / casu:	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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