G3R450MT17J

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Parte di u fabricatore	G3R450MT17J
U fabricatore	GeneSiC Semiconductor
Descrizzione	SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	G3R450MT17J PDF

A dispunibilità

In magazinu	998
Prezzu Unitu	$ 7.97000

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G3R450MT17J Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	G3R™
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	SiCFET (Silicon Carbide)
drain à a tensione di fonte (vdss):	1700 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	9A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	15V
rds on (max) @ id, vgs:	585mOhm @ 4A, 15V
vgs (th) (max) @ id:	2.7V @ 2mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 15 V
vgs (max):	±15V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	454 pF @ 1000 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	91W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-263-7
pacchettu / casu:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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