IMBG120R090M1HXTMA1

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Parte di u fabricatore	IMBG120R090M1HXTMA1
U fabricatore	IR (Infineon Technologies)
Descrizzione	TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	IMBG120R090M1HXTMA1 PDF

A dispunibilità

In magazinu	466828
Prezzu Unitu	$ 14.47000

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IMBG120R090M1HXTMA1 Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	CoolSiC™
pacchettu:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:	Active
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
drain à a tensione di fonte (vdss):	1.2 kV
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	26A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	-
rds on (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 8.5A, 18V
vgs (th) (max) @ id:	5.7V @ 3.7mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 18 V
vgs (max):	+18V, -15V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	763 pF @ 800 V
funzione fet:	Standard
dissipazione di putenza (max):	136W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:	Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	PG-TO263-7-12
pacchettu / casu:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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