TPH3206PSB

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Parte di u fabricatore	TPH3206PSB
U fabricatore	Transphorm
Descrizzione	GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
categuria	prudutti semiconduttori discreti
Famiglia	transistors - fets, mosfets - single
Ciclu di vita:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamentu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Data Sheet	TPH3206PSB PDF

A dispunibilità

In magazinu	1490
Prezzu Unitu	$ 10.68000

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TPH3206PSB Specificazioni

Tipu	Descrizzione
serie:	-
pacchettu:	Tube
statutu di parte:	Last Time Buy
tipu fet:	N-Channel
tecnulugia:	GaNFET (Gallium Nitride)
drain à a tensione di fonte (vdss):	650 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:	16A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 10A, 8V
vgs (th) (max) @ id:	2.6V @ 500µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:	6.2 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±18V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:	720 pF @ 480 V
funzione fet:	-
dissipazione di putenza (max):	81W (Tc)
temperatura di funziunamentu:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:	Through Hole
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:	TO-220AB
pacchettu / casu:	TO-220-3

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